LQW2BASR82J00L - Проволочная SMD индуктивность 820нГн ±5% 180мА 2.35Ом по постоянному току - LVT.market

Артикул п.

LQW2BASR82J00L

Примечание

820nH 180mA

Корпус

805

Количество в упаковке

2000

Тип упаковки

Tape and Reel (лента в катушке)

Вес гр.

0.06

Код товара

337562

Нормоупаковка

2000 шт

Описание Eng

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 820nH 5% 25MHz 23Q-Factor Ceramic 180mA 2.35Ohm DCR 0805 T/R

Индуктивность

820nH

Максимальный ток

180mA

Резонансная частота

25MHz

Производитель

Murata Electronics

Документация (PDF)

103122

от 3,47 RUB

В наличии: 30469 шт.

Нашли дешевле?

176,3 Кб PDF

Загрузка наличия по складам...

Допуск: ±5%

Проволочная SMD индуктивность 820нГн ±5% 180мА 2.35Ом по постоянному току