Войти

Избранное

0 Корзина

+7 (495) 260-13-69
- Назад
- Телефоны
- +7 (495) 260-13-69
- +7 (000) 000-00-00
- Заказать звонок
info@lvtgroup.ru
140080, Московская обл., г. Лыткарино, тер. промзона Тураево,стр. 16
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

Транзисторы

7102 товара

IGBT (БТИЗ) транзисторы

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы

КТ940А - Биполярный транзистор NPN 300В 100мА 1,2Вт Кус не менее 25 90МГц

Биполярный транзистор NPN 300В 100мА 1,2Вт Кус не менее 25 90МГц

Год выпуска

—

2025

Корпус

—

TO-126

Код товара

—

5275

В корзину

GD600HFX170C6S - IGBT модуль 1700B 600А 2 in one-package

IGBT модуль 1700B 600А 2 in one-package

Код товара

—

526807

Артикул

—

GD600HFX170C6S

Производитель

—

STARPOWER Semiconductor Ltd.

В корзину

Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 7.2 В 1 Вт 520МГц Tch=150°C

Корпус

—

SOT-89-3

Код товара

—

408742

Артикул

—

RD01MUS2-T513

Производитель

—

Mitsubishi Electric

В корзину

RD35HUP2-501 - Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C

Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C

Корпус

—

Ceramic

Код товара

—

355897

Артикул

—

RD35HUP2-501

Производитель

—

Mitsubishi Electric

В корзину

MMBFJ310LT1G - Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 0.225 Вт

Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 0.225 Вт

Корпус

—

SOT-23

Код товара

—

220020

Артикул

—

MMBFJ310LT1G

Производитель

—

ON Semiconductor

В корзину

IKW50N60TFKSA1 - Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт

Корпус

—

PG-TO-247-3

Код товара

—

202874

Артикул

—

IKW50N60TFKSA1

Производитель

—

Infineon Technologies

В корзину

GD400HFY120C2S - Модуль силовой IGBT полумостовой 1200В, 400А, +175°C

Модуль силовой IGBT полумостовой 1200В, 400А, +175°C

Код товара

—

568111

Артикул

—

GD400HFY120C2S

Производитель

—

STARPOWER Semiconductor Ltd.

В корзину

IRFP4137PBF - Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 38А 341Вт

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 38А 341Вт

Корпус

—

TO-247AC

Код товара

—

66341

В корзину

AFT05MS004NT1 - Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 30В 4-Pin(3+Tab) SOT-89A лента на катушке

Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 30В 4-Pin(3+Tab) SOT-89A лента на катушке

Корпус

—

SOT-89-3

Код товара

—

540780

Артикул

—

AFT05MS004NT1

Производитель

—

NXP / Philips

В корзину

BC56-16PA,115 - Биполярный транзистор NPN, 80 В, 1 А, 1.65W

Биполярный транзистор NPN, 80 В, 1 А, 1.65W

Корпус

—

HUSON3

Код товара

—

375309

Артикул

—

BC56-16PA,115

Производитель

—

NEXPERIA

В корзину

MUN5214DW1T1G - Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм

Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм

Код товара

—

222311

Артикул

—

MUN5214DW1T1G

Производитель

—

ON Semiconductor

В корзину

MUN5111DW1T1G - Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм

Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм

Корпус

—

SOT363-6

Код товара

—

222292

Артикул

—

MUN5111DW1T1G

Производитель

—

ON Semiconductor

В корзину

MMUN2232LT1G - Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм

Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм

Корпус

—

SOT-23

Код товара

—

220594

Артикул

—

MMUN2232LT1G

Производитель

—

ON Semiconductor

В корзину

IHW20N135R5XKSA1 - Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 40 А, 288 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 40 А, 288 Вт

Корпус

—

PG-TO-247-3

Код товара

—

412448

Артикул

—

IHW20N135R5XKSA1

Производитель

—

Infineon Technologies

В корзину

FF300R12KT4HOSA1 - Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А

Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А

Корпус

—

AG-62MMHB

Код товара

—

404817

Артикул

—

FF300R12KT4HOSA1

Производитель

—

Infineon Technologies

В корзину

SCTH50N120-7 - Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.2кВ 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 туба

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.2кВ 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 туба

Корпус

—

DDPAK/TO-263-7

Код товара

—

592035

Артикул

—

SCTH50N120-7

Производитель

—

ST Microelectronics

В корзину

Загрузить еще

1 ... 9 10 11 12 13 ... 356

Главная Каталог 0 Корзина 0 Избранные Кабинет 0 Сравнение Акции Галерея Контакты Услуги Бренды Отзывы Компания Лицензии Документы Реквизиты Поиск Блог Обзоры