Фильтр
Сначала популярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
В наличии
Модуль IGBT 650В 247A
Код товара
—
560951
Артикул
—
GD200HFX65C2S
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
3 285.86 ₽
В корзину
В наличии
Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 225мВт Кус не менее 60 не менее 650МГц
Корпус
—
SOT-23-3 (TO-236)
Код товара
—
220152
Артикул
—
MMBTH10LT1G
Производитель
—
ON Semiconductor
7.06 ₽
В корзину
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт
Корпус
—
PG-TO-247-3
Код товара
—
202872
Артикул
—
IKW50N60H3FKSA1
Производитель
—
Infineon Technologies
297.43 ₽
В корзину
В наличии
Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт
Корпус
—
SOT-23
Код товара
—
146170
0.91 ₽
В корзину
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 3.5 А, 2 Вт, 0.1 Ом
Корпус
—
SO-8
Код товара
—
145811
52.42 ₽
В корзину
В наличии
Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.15W
Корпус
—
SOT-323
Код товара
—
95409
3.24 ₽
В корзину
В наличии
Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.1 А, 1.5 Вт
Корпус
—
SOT-223
Код товара
—
70106
31.97 ₽
В корзину
В наличии
Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.1 А, 1.25 Вт, (Комплементарная пара 2SB1109)
Корпус
—
TO-126 MOD
Код товара
—
37170
55.08 ₽
В корзину
В наличии
Сборка из 2-х полевых транзисторов MOSFET N-канальные напряжение сток-исток 30В, ток стока 14A
Корпус
—
SOP-8L
Код товара
—
535396
Артикул
—
WMS14DN03T1
Производитель
—
Wayon
25.49 ₽
В корзину
В наличии
Сборка из 2-х полевых транзисторов MOSFET P-канальные напряжение сток-исток 30В, ток стока 9A
Корпус
—
SOP-8L
Код товара
—
535391
Артикул
—
WMS09DP03T1
Производитель
—
Wayon
46.22 ₽
В корзину
В наличии
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт
Корпус
—
SOT-23
Код товара
—
220013
Артикул
—
MMBFJ201
Производитель
—
ON Semiconductor
20.88 ₽
В корзину
В наличии
Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Корпус
—
SOT23-3
Код товара
—
220010
Артикул
—
MMBFJ176
Производитель
—
ON Semiconductor
46.08 ₽
В корзину
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 60 В, -3.2 А/4.5 А, 2 Вт
Корпус
—
SOIC-8
Код товара
—
147859
49.32 ₽
В корзину
IRF7309TRPBF - Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 4 А/3 А, 1.4 Вт, 0.05 Ом/ 0.1 Ом
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 4 А/3 А, 1.4 Вт, 0.05 Ом/ 0.1 Ом
Корпус
—
SO-8
Код товара
—
76662
46.66 ₽
В корзину
В наличии
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 65 Вт
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
37643
52.85 ₽
В корзину
В наличии
Модуль IGBT 1200В 400A
Код товара
—
568145
Артикул
—
GD400HFU120C2S
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
6 801.41 ₽
В корзину
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 400 А
Корпус
—
AG-62MMHB
Код товара
—
139964
12 084.26 ₽
В корзину
В наличии
Модуль IGBT 1200В 600A, 150°C 2.941кВт
Код товара
—
562146
Артикул
—
GD300HFY120C2S
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
11 342.30 ₽
В корзину
В наличии
Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 5.5 А, 3 Вт
Корпус
—
SOT-89-3
Код товара
—
507452
Артикул
—
ZXTP2009ZQTA
Производитель
—
Diodes Incorporated
По запросу
Заказать
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В
Корпус
—
SOIC8
Код товара
—
203777
Артикул
—
IRF7317TRPBF
Производитель
—
Infineon Technologies
70.85 ₽
В корзину