Войти

Избранное

0 Корзина

+7 (495) 260-13-69
- Назад
- Телефоны
- +7 (495) 260-13-69
- +7 (000) 000-00-00
- Заказать звонок
info@lvtgroup.ru
140080, Московская обл., г. Лыткарино, тер. промзона Тураево,стр. 16
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

Транзисторы

7102 товара

IGBT (БТИЗ) транзисторы

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы

IKW75N65EH5XKSA1 - Биполярный транзистор IGBT, 650В 90А 395Вт [TO-247]

Биполярный транзистор IGBT, 650В 90А 395Вт [TO-247]

Корпус

—

PG-TO-247-3

Код товара

—

439049

Артикул

—

IKW75N65EH5XKSA1

Производитель

—

Infineon Technologies

В корзину

STGB18N40LZT4 - Биполярный транзистор IGBT 420В 30А 150Вт D2PAK

Биполярный транзистор IGBT 420В 30А 150Вт D2PAK

Корпус

—

D2Pak (TO-263)

Код товара

—

429237

Артикул

—

STGB18N40LZT4

Производитель

—

ST Microelectronics

В корзину

IRL6372TRPBF - MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC

Корпус

—

SO-8

Код товара

—

343940

Артикул

—

IRL6372TRPBF

Производитель

—

Infineon Technologies

В корзину

MMUN2235LT1G - Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 2.2 кОм+47 кОм

Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 2.2 кОм+47 кОм

Корпус

—

SOT-23-3 (TO-236)

Код товара

—

343926

Артикул

—

MMUN2235LT1G

Производитель

—

ON Semiconductor

В корзину

TPD3215M - Модуль силовой GaN MOSFET сборка 2 N-канальный 600В 70А 470Вт

Модуль силовой GaN MOSFET сборка 2 N-канальный 600В 70А 470Вт

Корпус

—

Module

Код товара

—

551395

Артикул

—

TPD3215M

Производитель

—

TRANSPH

В корзину

2SC4242 - Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 7 А, 40 Вт

Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 7 А, 40 Вт

Корпус

—

TO-220AB

Код товара

—

37080

В корзину

Биполярный транзистор сборка 2 NPN 40В 0.2A SOT363

Корпус

—

SOT-363

Код товара

—

604435

Артикул

—

MMDT3904

Производитель

—

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

В корзину

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 400A

Корпус

—

PDFN5*6

Код товара

—

562199

Артикул

—

YJG40G10B

Производитель

—

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

В корзину

CSD19532Q5B - Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A

Корпус

—

8-VSON-FET (5x6)

Код товара

—

551464

Артикул

—

CSD19532Q5B

Производитель

—

Texas Instruments

В корзину

BD679 - Биполярный транзистор NPN Дарлингтона 80В 4A TO225

Биполярный транзистор NPN Дарлингтона 80В 4A TO225

Корпус

—

TO-126

Код товара

—

346923

Артикул

—

BD679

Производитель

—

ST Microelectronics

В корзину

2SA1294 + 2SC3263 (пара) - Биполярный транзистор, PNP+NPN (пара), 230 В, 15 А, 130 Вт

Биполярный транзистор, PNP+NPN (пара), 230 В, 15 А, 130 Вт

Примечание

—

комплект без подбора HFE

Корпус

—

MT-100 (TO3P)

Код товара

—

341266

Артикул

—

2SA1294 + 2SC3263 (пара)

Производитель

—

Sanken Semiconductors

В корзину

FGH40N60SMDF - Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 349 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 349 Вт

Корпус

—

TO-247-3

Код товара

—

197932

Артикул

—

FGH40N60SMDF

Производитель

—

ON Semiconductor

В корзину

FGH40N60SFDTU - Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт

Корпус

—

TO-247

Код товара

—

197930

Артикул

—

FGH40N60SFDTU

Производитель

—

ON Semiconductor

В корзину

FGH20N60SFDTU - Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт

Корпус

—

TO-247

Код товара

—

197924

Артикул

—

FGH20N60SFDTU

Производитель

—

ON Semiconductor

В корзину

FGA60N65SMD - Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт

Корпус

—

TO-3PN

Код товара

—

197915

Артикул

—

FGA60N65SMD

Производитель

—

ON Semiconductor

В корзину

Загрузить еще

1 ... 30 31 32 33 34 ... 356

Главная Каталог 0 Корзина 0 Избранные Кабинет 0 Сравнение Акции Галерея Контакты Услуги Бренды Отзывы Компания Лицензии Документы Реквизиты Поиск Блог Обзоры