Фильтр
Сначала популярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Корпус
—
TO-220
Производитель
—
Infineon Technologies
459 ₽
В корзину
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 36 А, 206 Вт
Корпус
—
TO-220
Производитель
—
Infineon Technologies
196.63 ₽
В корзину
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 32 А, 140 Вт
Корпус
—
D2Pak (TO-263)
Производитель
—
Infineon Technologies
332.64 ₽
В корзину
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 330 Вт
Корпус
—
TO-247
Производитель
—
Infineon Technologies
1 249.63 ₽
В корзину
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт
Корпус
—
TO-247
Производитель
—
Infineon Technologies
661.18 ₽
В корзину
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Корпус
—
TO-247AC
Производитель
—
Infineon Technologies
226.58 ₽
В корзину
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А, 56 Вт
Корпус
—
TO-220
Производитель
—
Infineon Technologies
63.43 ₽
В корзину
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 99 А, 350 Вт
Корпус
—
Super-247 (TO-274AA)
Производитель
—
Infineon Technologies
1 416.74 ₽
В корзину
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт
Корпус
—
TO-247
Производитель
—
Infineon Technologies
539.57 ₽
В корзину
Биполярный транзистор с изолированным затвором 1.2кВ, 150А, 938Вт, TO-247
Корпус
—
PG-TO247-3-46
Производитель
—
Infineon Technologies
611.64 ₽
В корзину
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 80A 468Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Корпус
—
TO-247
Производитель
—
ST Microelectronics
489.17 ₽
В корзину
Транзистор биполярный с изолированным затвором низкая потеря встроенный диод 1200В 8А
Корпус
—
TO-247
Производитель
—
Infineon Technologies
347.04 ₽
В корзину
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 19 А, 32W
Корпус
—
TO-220F
242.28 ₽
В корзину
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 270 Вт
Корпус
—
PG-TO-247-3
Производитель
—
Infineon Technologies
1 089 ₽
В корзину
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 240 А, 750 Вт
Корпус
—
Super-247
Производитель
—
Infineon Technologies
1 836.94 ₽
В корзину
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 47 А, 206 Вт
Корпус
—
TO-220AC
Производитель
—
Infineon Technologies
305.50 ₽
В корзину
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Примечание
—
Обновлен дата код. Проверено.
Корпус
—
TO264
Производитель
—
Toshiba Semiconductor
2 146.32 ₽
В корзину
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 308 Вт
Корпус
—
TO-247AC
947.59 ₽
В корзину
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт
Корпус
—
TO-247AC
3 944.16 ₽
В корзину
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 100 Вт
Корпус
—
TO-220AB
806.54 ₽
В корзину