+7 (495) 260-13-69
- Назад
- Телефоны
- +7 (495) 260-13-69
- Заказать звонок
info@lvtgroup.ru
snab@lvtgroup.ru
zakaz@lvtgroup.ru
140080, Московская обл., г. Лыткарино, тер. промзона Тураево,стр. 16
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

Транзисторы – Страница 190

7110 товаров

IGBT (БТИЗ) транзисторы

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы

YJB180G10B - Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A

Артикул

—

YJB180G10B

Корпус

—

TO-263

Код товара

—

603877

Производитель

—

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

SK301N - Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 220мА, 0.35Вт

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 220мА, 0.35Вт

Артикул

—

SK301N

Корпус

—

SOT-23

Код товара

—

571350

Производитель

—

SHIKUES

YJG200G04BR - Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 200А

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 200А

Артикул

—

YJG200G04BR

Корпус

—

PDFN5*6

Код товара

—

565622

Производитель

—

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

HGTG10N120BND - Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А

Артикул

—

HGTG10N120BND

Корпус

—

TO-247

Код товара

—

550009

Производитель

—

ON Semiconductor

IGW100N60H3FKSA1 - Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 140A TO247-3

Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 140A TO247-3

Артикул

—

IGW100N60H3FKSA1

Код товара

—

464419

Производитель

—

Infineon Technologies

FP15R12W1T4B11BOMA1

Артикул

—

FP15R12W1T4B11BOMA1

Код товара

—

464363

Производитель

—

Infineon Technologies

FS100R12KE3BOSA1

Артикул

—

FS100R12KE3BOSA1

Код товара

—

438887

Производитель

—

Infineon Technologies

IRF3710STRLPBF - Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Артикул

—

IRF3710STRLPBF

Корпус

—

D2Pak (TO-263)

Код товара

—

350902

Производитель

—

Infineon Technologies

DDTD113ZU-7-F - Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 1 кОм+10 кОм

Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 1 кОм+10 кОм

Артикул

—

DDTD113ZU-7-F

Корпус

—

SOT-323

Код товара

—

350363

Производитель

—

Diodes Incorporated

2SC2240GR - Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 0.1 А, 0.3 Вт

Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 0.1 А, 0.3 Вт

Артикул

—

2SC2240GR

Корпус

—

TO-92_formed_leads

Код товара

—

337432

Производитель

—

Toshiba Semiconductor

PBSS9110Z,135 - Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 1 А 0.3Вт

Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 1 А 0.3Вт

Артикул

—

PBSS9110Z,135

Корпус

—

SOT-223

Код товара

—

226969

Производитель

—

NEXPERIA

PBSS8110T,215 - Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А

Артикул

—

PBSS8110T,215

Корпус

—

SOT-23 (TO-236AB)

Код товара

—

226963

Производитель

—

NEXPERIA

PBSS306NX,115 - Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 4.5 А

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 4.5 А

Артикул

—

PBSS306NX,115

Корпус

—

SOT-89-3

Код товара

—

226867

Производитель

—

NEXPERIA

NX1029X,115 - Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 60 В/50 В

Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 60 В/50 В

Артикул

—

NX1029X,115

Корпус

—

SOT666

Код товара

—

224707

Производитель

—

NEXPERIA

NTMD6N02R2G - Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3.92 А

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3.92 А

Артикул

—

NTMD6N02R2G

Корпус

—

SOIC8N

Код товара

—

224511

Производитель

—

ON Semiconductor

Загрузить еще

Главная Каталог 0 Корзина 0 Избранные Кабинет 0 Сравнение Акции Галерея Контакты Услуги Бренды Отзывы Компания Лицензии Документы Реквизиты Поиск Блог Обзоры