Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 120A 395Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Артикул п.
—
IGW75N65H5XKSA1
Код товара
—
464425
Производитель
—
Infineon Technologies
914.18 ₽
Артикул п.
—
FS100R12KT3BOSA1
Код товара
—
438886
Производитель
—
Infineon Technologies
20 350.94 ₽
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 462А туба
Артикул п.
—
IRF100P218XKMA1
Корпус
—
PG-TO-247-3
Код товара
—
432918
Производитель
—
Infineon Technologies
602.35 ₽
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 3000В 40A 160Вт
Артикул п.
—
IXBF32N300
Корпус
—
ISOPLUS i4-PAC[тм]
Код товара
—
398938
Производитель
—
IXYS Corporation
5 801.76 ₽
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Артикул п.
—
DMG5802LFX-7
Корпус
—
6-DFN5020 (5x2)
Код товара
—
382747
Производитель
—
Diodes Incorporated
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Артикул п.
—
IRFR2407TRPBF
Корпус
—
DPAK/TO-252AA
Код товара
—
361656
Производитель
—
Infineon Technologies
83.44 ₽
TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
Артикул п.
—
ZXTC2062E6TA
Корпус
—
SOT-26
Код товара
—
360527
Производитель
—
Diodes Incorporated
IGBT-транзистор 1200В 105А 500Вт
Артикул п.
—
IXYN82N120C3H1
Корпус
—
SOT-227
Код товара
—
348258
Производитель
—
IXYS Corporation
7 419.23 ₽
Сборка: биполярный транзистор PNP с низким Vcesat (60 В, 1 А, 0.25 Вт 185 МГц)+цифровой NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм)
Артикул п.
—
PBLS6002D,115
Корпус
—
SC-74
Код товара
—
226826
Производитель
—
NEXPERIA
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 0.22 А
Артикул п.
—
NX3008PBKV,115
Корпус
—
SOT666
Код товара
—
224715
Производитель
—
NEXPERIA
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 630 мА, 0.55Вт
Артикул п.
—
NTJD4401NT1G
Корпус
—
SC-88/SC70-6/SOT-363
Код товара
—
224491
Производитель
—
ON Semiconductor
7.63 ₽
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 8 В, 1.3 А, 0.4Вт
Артикул п.
—
NTJD1155LT1G
Корпус
—
SC-88/SC70-6/SOT-363
Код товара
—
224486
Производитель
—
ON Semiconductor
23.84 ₽
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 340 мА
Артикул п.
—
NDC7003P
Корпус
—
SSOT6
Код товара
—
223906
Производитель
—
ON Semiconductor
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15A
Артикул п.
—
IRL530PBF
Корпус
—
TO-220AB
Код товара
—
204604
71.47 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 47 А, 206 Вт
Артикул п.
—
IRGB4630DPBF
Корпус
—
TO-220AC
Код товара
—
204516
Производитель
—
Infineon Technologies
252.28 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А, 56 Вт
Артикул п.
—
IRGB4059DPBF
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
204507
Производитель
—
Infineon Technologies
62.27 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 105 Вт
Артикул п.
—
IKP15N65F5XKSA1
Корпус
—
PG-TO220-3
Код товара
—
202858
Производитель
—
Infineon Technologies
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт
Артикул п.
—
IGW25N120H3FKSA1
Корпус
—
PG-TO-247-3
Код товара
—
202749
Производитель
—
Infineon Technologies
473.16 ₽
Сборка из полевых транзисторов, 2N/2P-канальный, 100 В/80 В
Артикул п.
—
FDMQ8203
Корпус
—
DIP40
Код товара
—
197501
Производитель
—
ON Semiconductor
Цифровые биполярные транзисторы PNP+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Артикул п.
—
DDA114EU-7-F
Корпус
—
SOT-363
Код товара
—
192110
Производитель
—
Diodes Incorporated
Загрузить еще