Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
В наличии
Силовой модуль IGBT; диодно-транзисторный; IGBT трехфазный мост 40А
Артикул п.
—
SKIIP24NAB126V10
Корпус
—
MiniSKiiP® 3
Код товара
—
403928
Производитель
—
Semikron Elektronik GmbH
10 582.49 ₽
В наличии
Биполярный транзистор с изолированным затвором 1.2кВ, 150А, 938Вт, TO-247
Артикул п.
—
IKQ75N120CH3XKSA1
Корпус
—
PG-TO247-3-46
Код товара
—
403906
Производитель
—
Infineon Technologies
522.86 ₽
В наличии
Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А
Артикул п.
—
BCX52-16
Корпус
—
SOT-89-3
Код товара
—
388502
Производитель
—
Hottech Co. Ltd
5.26 ₽
В наличии
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 14A 75Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Артикул п.
—
STGB3NC120HDT4
Корпус
—
DВІPAK
Код товара
—
361546
Производитель
—
ST Microelectronics
В наличии
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1700В 80A 360Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Артикул п.
—
IXBH42N170
Корпус
—
TO-247AD
Код товара
—
361364
Производитель
—
IXYS Corporation
В наличии
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
Артикул п.
—
MMDT5551-7-F
Корпус
—
SOT-363
Код товара
—
349591
Производитель
—
Diodes Incorporated
В наличии
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А, 0.6 Вт
Артикул п.
—
BC337-40
Корпус
—
TO92/formed lead
Код товара
—
347502
Производитель
—
Diotec Semiconductor
3.50 ₽
В наличии
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Артикул п.
—
ZXMHC6A07N8TC
Корпус
—
SOP8
Код товара
—
343687
Производитель
—
Diodes Incorporated
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK
Артикул п.
—
IPD122N10N3GATMA1
Корпус
—
TO-252-3
Код товара
—
342409
Производитель
—
Infineon Technologies
121.08 ₽
В наличии
Биполярный транзистор PNP/PNP, 60 В, 0.6 А
Артикул п.
—
MMDT2907A-7-F
Корпус
—
SOT-363
Код товара
—
220270
Производитель
—
Diodes Incorporated
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт
Артикул п.
—
ISL9V3040P3
Корпус
—
TO-220AB
Код товара
—
205544
Производитель
—
ON Semiconductor
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт
Артикул п.
—
ISL9V3040D3ST
Корпус
—
TO-252AA
Код товара
—
205543
Производитель
—
ON Semiconductor
90.52 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 240 А, 750 Вт
Артикул п.
—
IRGPS46160DPBF
Корпус
—
Super-247
Код товара
—
204565
Производитель
—
Infineon Technologies
1 661.81 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 220 Вт
Артикул п.
—
IRGP20B60PDPBF
Корпус
—
TO-247
Код товара
—
204523
Производитель
—
Infineon Technologies
739.81 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 215 Вт
Артикул п.
—
IRGB20B60PD1PBF
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
204505
Производитель
—
Infineon Technologies
620.29 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 99 А, 350 Вт
Артикул п.
—
IRG4PSH71UDPBF
Корпус
—
Super-247 (TO-274AA)
Код товара
—
204483
Производитель
—
Infineon Technologies
1 279.09 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11.4 А, 34 Вт
Артикул п.
—
IRG4IBC20UDPBF
Код товара
—
204464
Производитель
—
Infineon Technologies
81.36 ₽
В наличии
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт
Артикул п.
—
IRFL9110TRPBF
Корпус
—
SOT-223
Код товара
—
204118
52.07 ₽
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A
Артикул п.
—
IRFBC30APBF
Корпус
—
TO-220 Isolated Tab
Код товара
—
204008
59.65 ₽
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В
Артикул п.
—
IRF7389TRPBF
Корпус
—
SOIC8
Код товара
—
203791
Производитель
—
Infineon Technologies
75.53 ₽
