+7 (495) 260-13-69
- Назад
- Телефоны
- +7 (495) 260-13-69
- Заказать звонок
info@lvtgroup.ru
snab@lvtgroup.ru
zakaz@lvtgroup.ru
140080, Московская обл., г. Лыткарино, тер. промзона Тураево,стр. 16
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

Транзисторы – Страница 223

7110 товаров

IGBT (БТИЗ) транзисторы

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы

ZXTC2062E6TA - TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23

TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23

Артикул

—

ZXTC2062E6TA

Корпус

—

SOT-26

Код товара

—

360527

Производитель

—

Diodes Incorporated

STS1DNC45 - MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC

MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC

Артикул

—

STS1DNC45

Корпус

—

SO-8

Код товара

—

356353

Производитель

—

ST Microelectronics

MMDT5551-7-F - TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363

TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363

Артикул

—

MMDT5551-7-F

Корпус

—

SOT-363

Код товара

—

349591

Производитель

—

Diodes Incorporated

BC847BVN,115 - TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT666

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT666

Артикул

—

BC847BVN,115

Корпус

—

SOT666

Код товара

—

342520

Производитель

—

NEXPERIA

DMMT3906W-7-F - Биполярный транзистор PNP/PNP, 40 В, 0.2 А

Биполярный транзистор PNP/PNP, 40 В, 0.2 А

Артикул

—

DMMT3906W-7-F

Корпус

—

SOT-363

Код товара

—

336418

Производитель

—

Diodes Incorporated

MMDT4413-7-F - Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.6 А

Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.6 А

Артикул

—

MMDT4413-7-F

Корпус

—

SOT-363

Код товара

—

220272

Производитель

—

Diodes Incorporated

MMDT2227-7-F - Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В

Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В

Артикул

—

MMDT2227-7-F

Корпус

—

SOT-363

Код товара

—

220269

Производитель

—

Diodes Incorporated

FDG6303N - Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 0.5 А

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 0.5 А

Артикул

—

FDG6303N

Корпус

—

SOT-363

Код товара

—

197353

Производитель

—

ON Semiconductor

PMP5201Y,115

Артикул

—

PMP5201Y,115

Код товара

—

957124

Производитель

—

NEXPERIA

MG25P12E1

Артикул

—

MG25P12E1

Код товара

—

842149

Производитель

—

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

GD200HFX65C1S

Артикул

—

GD200HFX65C1S

Код товара

—

841071

PM75CL1B120#350G

Артикул

—

PM75CL1B120#350G

Код товара

—

568624

Производитель

—

Mitsubishi Electric

GD150HFU120C2S - Модуль IGBT 1200В 150А

Модуль IGBT 1200В 150А

Артикул

—

GD150HFU120C2S

Код товара

—

561050

Производитель

—

STARPOWER Semiconductor Ltd.

C3M0016120D - Транзистор полевой MOSFET SiC 1200В, 115А, TO-247

Транзистор полевой MOSFET SiC 1200В, 115А, TO-247

Артикул

—

C3M0016120D

Код товара

—

534154

Производитель

—

Wolfspeed, Inc.

GD450HFY120C6S - IGBT модуль 1200B 450А 2 in one-package

IGBT модуль 1200B 450А 2 in one-package

Артикул

—

GD450HFY120C6S

Код товара

—

529536

Производитель

—

STARPOWER Semiconductor Ltd.

FZT696BTA - Транзистор биполярный NPN 180В 0.5A SOT-223

Транзистор биполярный NPN 180В 0.5A SOT-223

Артикул

—

FZT696BTA

Корпус

—

SOT-223

Код товара

—

438926

Производитель

—

Diodes Incorporated

TK10A80W,S4X(S - Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой

Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой

Артикул

—

TK10A80W,S4X(S

Код товара

—

356814

Производитель

—

Toshiba Semiconductor

KTC3200GR - Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 0.1 А, 625 мВт, (Комплементарная пара KTА1268)

Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 0.1 А, 625 мВт, (Комплементарная пара KTА1268)

Артикул

—

KTC3200GR

Корпус

—

TO92/formed lead

Код товара

—

351363

Производитель

—

Korea Electronics

Загрузить еще

Главная Каталог 0 Корзина 0 Избранные Кабинет 0 Сравнение Акции Галерея Контакты Услуги Бренды Отзывы Компания Лицензии Документы Реквизиты Поиск Блог Обзоры