+7 (495) 260-13-69
- Назад
- Телефоны
- +7 (495) 260-13-69
- Заказать звонок
info@lvtgroup.ru
snab@lvtgroup.ru
zakaz@lvtgroup.ru
140080, Московская обл., г. Лыткарино, тер. промзона Тураево,стр. 16
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

Транзисторы – Страница 231

7110 товаров

IGBT (БТИЗ) транзисторы

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы

IRF7307PBF - Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 5.2 А/-4.3 А, 2 Вт, 0.05 Ом/0.09 Ом

Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 5.2 А/-4.3 А, 2 Вт, 0.05 Ом/0.09 Ом

Артикул

—

IRF7307PBF

Корпус

—

SO-8

Код товара

—

203767

Производитель

—

Infineon Technologies

FQS4901TF - Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 400 В, 0.45 А

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 400 В, 0.45 А

Артикул

—

FQS4901TF

Корпус

—

SOP8

Код товара

—

198680

Производитель

—

ON Semiconductor

BFU590GX

Артикул

—

BFU590GX

Код товара

—

1001914

Производитель

—

NXP / Philips

IGB50N65S5ATMA1

Артикул

—

IGB50N65S5ATMA1

Код товара

—

464414

Производитель

—

Infineon Technologies

BFP650H6327XTSA1

Артикул

—

BFP650H6327XTSA1

Код товара

—

412189

Производитель

—

Infineon Technologies

MMBFJ270 - Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт

Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт

Артикул

—

MMBFJ270

Корпус

—

SOT-23-3 (TO-236)

Код товара

—

220016

Производитель

—

ON Semiconductor

IRF9952TRPBF - Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В

Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В

Артикул

—

IRF9952TRPBF

Корпус

—

SO-8

Код товара

—

203936

Производитель

—

Infineon Technologies

IKW25N120H3FKSA1 - Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт

Артикул

—

IKW25N120H3FKSA1

Корпус

—

PG-TO-247-3

Код товара

—

202859

Производитель

—

Infineon Technologies

IGW50N65H5FKSA1 - Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт

Артикул

—

IGW50N65H5FKSA1

Корпус

—

PG-TO-247-3

Код товара

—

202755

Производитель

—

Infineon Technologies

FS75R12KE3BOSA1 - Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт

Артикул

—

FS75R12KE3BOSA1

Корпус

—

ECONOD-3

Код товара

—

198755

Производитель

—

Infineon Technologies

FGH40N60SFDTU - Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт

Артикул

—

FGH40N60SFDTU

Корпус

—

TO-247

Код товара

—

197930

Производитель

—

ON Semiconductor

LG200HF060T1VH

Артикул

—

LG200HF060T1VH

Код товара

—

831158

Производитель

—

Luguang Electronic Technology Co.,Ltd

MG100HF12LEC1 - Модуль IGBT 1200В 100А

Модуль IGBT 1200В 100А

Артикул

—

MG100HF12LEC1

Код товара

—

568618

Производитель

—

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

GD600HFY120C2S - IGBT модуль 1200B 600А

IGBT модуль 1200B 600А

Артикул

—

GD600HFY120C2S

Код товара

—

566644

Производитель

—

STARPOWER Semiconductor Ltd.

FF450R12KE4EHOSA1

Артикул

—

FF450R12KE4EHOSA1

Код товара

—

464360

Производитель

—

Infineon Technologies

DMN61D8LVTQ-7

Артикул

—

DMN61D8LVTQ-7

Код товара

—

427769

Производитель

—

Diodes Incorporated

IKW40N120CS6XKSA1 - Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 500 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 500 Вт

Артикул

—

IKW40N120CS6XKSA1

Корпус

—

TO-247

Код товара

—

406631

Производитель

—

Infineon Technologies

FMMT624TA - Биполярный транзистор, NPN, 125 В, 1 А

Биполярный транзистор, NPN, 125 В, 1 А

Артикул

—

FMMT624TA

Корпус

—

SOT-23

Код товара

—

404120

Производитель

—

Diodes Incorporated

Загрузить еще

Главная Каталог 0 Корзина 0 Избранные Кабинет 0 Сравнение Акции Галерея Контакты Услуги Бренды Отзывы Компания Лицензии Документы Реквизиты Поиск Блог Обзоры