Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт
Артикул п.
—
IKW50N60H3FKSA1
Корпус
—
PG-TO-247-3
Код товара
—
202872
Производитель
—
Infineon Technologies
250.07 ₽
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 25A
Артикул п.
—
25N06
Корпус
—
D-Pak (TO-252)
Код товара
—
526346
Производитель
—
UMW Youtai Semiconductor
17.28 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Артикул п.
—
IKW40N65H5FKSA1
Корпус
—
PG-TO-247-3
Код товара
—
202870
Производитель
—
Infineon Technologies
140.06 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт
Артикул п.
—
IGW40T120FKSA1
Корпус
—
TO-247
Код товара
—
202752
Производитель
—
Infineon Technologies
680.09 ₽
Биполярный транзистор NPN 20В 100мА 250мВт Кус 400-1000 300МГц
Артикул п.
—
КТ3102Е
Год выпуска
—
2024
Корпус
—
TO-18
Код товара
—
4489
206.09 ₽
Модуль силовой трехфазный IGBT 1200В 75А
Артикул п.
—
GD75PIX120C6S
Код товара
—
841076
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
6 551.35 ₽
Модуль IGBT 1700В 168A
Артикул п.
—
GD100HFX170C1S
Код товара
—
560950
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
2 968.78 ₽
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 47 кОм+47 кОм
Корпус
—
SOT-23
Код товара
—
152166
3.95 ₽
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 7А 75Вт 175МГц Tch=175°C (Recommended replacement: RD35HUP2)
Корпус
—
Ceramic
Код товара
—
148384
1 844.81 ₽
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20 В
Артикул п.
—
BF862,215
Корпус
—
SOT-23
Код товара
—
4340
104.44 ₽
Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP 50В 100мА 5-Pin SOT-553 лента на катушке
Артикул п.
—
EMC4DXV5T1G
Код товара
—
551635
Производитель
—
ON Semiconductor
33.12 ₽
Биполярный транзистор PNP -20 -50мА 225мВт Кус не менее 60 не менее 600МГц
Артикул п.
—
MMBTH81
Корпус
—
SOT-23
Код товара
—
220154
Производитель
—
ON Semiconductor
14.41 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт
Артикул п.
—
IKW75N60TFKSA1
Корпус
—
PG-TO-247-3
Код товара
—
202877
Производитель
—
Infineon Technologies
356.54 ₽
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 3.1Вт, 0.85 Ом
Корпус
—
D2Pak (TO-263)
Код товара
—
79493
119.35 ₽
Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Артикул п.
—
MMBFJ176
Корпус
—
SOT23-3
Код товара
—
220010
Производитель
—
ON Semiconductor
38.66 ₽
Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальный 1200В 127A 4-Pin(4+Tab) TO-247 туба
Артикул п.
—
IMZA120R014M1HXKSA1
Корпус
—
TO-247
Код товара
—
835973
Производитель
—
Infineon Technologies
3 849.26 ₽
Силовой модуль IGBT N-канальный 1700В 125А
Артикул п.
—
SKM100GB176D
Корпус
—
SEMITRANS® 2
Код товара
—
403896
Производитель
—
Semikron Elektronik GmbH
5 309.21 ₽
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.23 Вт, 10 кОм+10 кОм
Артикул п.
—
MUN2111T1G
Корпус
—
SC-59
Код товара
—
222279
Производитель
—
ON Semiconductor
7.01 ₽
Биполярный транзистор PNP -100В -1,5А 1Вт Кус 40-100 80МГц
Год выпуска
—
2013
Корпус
—
TO-126
Код товара
—
76813
14.78 ₽
Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.3 А, 0.2 Вт
Артикул п.
—
КТ209Е
Год выпуска
—
2020
Корпус
—
TO92-3
Код товара
—
4456
12.16 ₽
Загрузить еще