+7 (495) 260-13-69
- Назад
- Телефоны
- +7 (495) 260-13-69
- Заказать звонок
info@lvtgroup.ru
snab@lvtgroup.ru
zakaz@lvtgroup.ru
140080, Московская обл., г. Лыткарино, тер. промзона Тураево,стр. 16
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

Транзисторы – Страница 247

7110 товаров

IGBT (БТИЗ) транзисторы

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы

CAB016M12FM3

Артикул

—

CAB016M12FM3

Код товара

—

916702

Производитель

—

Wolfspeed, Inc.

YJS05N06A - Транзистор полевой MOSFET 2N-канальный 60В 5A 3.1Вт

Транзистор полевой MOSFET 2N-канальный 60В 5A 3.1Вт

Артикул

—

YJS05N06A

Корпус

—

SOIC8

Код товара

—

542007

Производитель

—

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

DDC123JU-7-F - Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+47 кОм

Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+47 кОм

Артикул

—

DDC123JU-7-F

Корпус

—

SOT-363

Код товара

—

333276

Производитель

—

Diodes Incorporated

J113 - Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт

Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт

Артикул

—

J113

Корпус

—

TO92-3

Код товара

—

205704

Производитель

—

ON Semiconductor

C3M0032120D

Артикул

—

C3M0032120D

Код товара

—

1023567

MUN5214DW1T1G - Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм

Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм

Артикул

—

MUN5214DW1T1G

Код товара

—

222311

Производитель

—

ON Semiconductor

FF300R12KT4HOSA1 - Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А

Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А

Артикул

—

FF300R12KT4HOSA1

Корпус

—

AG-62MMHB

Код товара

—

404817

Производитель

—

Infineon Technologies

MUN5233DW1T1G - Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Артикул

—

MUN5233DW1T1G

Корпус

—

SC-88/SC70-6/SOT-363

Код товара

—

222320

Производитель

—

ON Semiconductor

RD35HUP2-501 - Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C

Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C

Артикул

—

RD35HUP2-501

Корпус

—

Ceramic

Код товара

—

355897

Производитель

—

Mitsubishi Electric

MMBFJ309LT1G - Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 0.225 Вт

Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 0.225 Вт

Артикул

—

MMBFJ309LT1G

Корпус

—

SOT-23

Код товара

—

220018

Производитель

—

ON Semiconductor

AFT05MS004NT1 - Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 30В 4-Pin(3+Tab) SOT-89A лента на катушке

Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 30В 4-Pin(3+Tab) SOT-89A лента на катушке

Артикул

—

AFT05MS004NT1

Корпус

—

SOT-89-3

Код товара

—

540780

Производитель

—

NXP / Philips

BC846BPN - Транзистор биполярный сборка NPN/PNP 65В 0.1А 6TSSOP

Транзистор биполярный сборка NPN/PNP 65В 0.1А 6TSSOP

Артикул

—

BC846BPN

Корпус

—

SOT-363

Код товара

—

536381

Производитель

—

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

AFT05MS031NR1 - Транзистор полевой FET вымокочастотный 40В 520МГц TO-270-2

Транзистор полевой FET вымокочастотный 40В 520МГц TO-270-2

Артикул

—

AFT05MS031NR1

Корпус

—

TO-270-2

Код товара

—

469475

Производитель

—

NXP / Philips

C2M0160120D - Полевой транзистор N-канальный 12В 17.7А 3-Pin(3+Tab) TO-247

Полевой транзистор N-канальный 12В 17.7А 3-Pin(3+Tab) TO-247

Артикул

—

C2M0160120D

Корпус

—

TO-247-3

Код товара

—

418106

Производитель

—

Wolfspeed, Inc.

MMBFJ201 - Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт

Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт

Артикул

—

MMBFJ201

Корпус

—

SOT-23

Код товара

—

220013

Производитель

—

ON Semiconductor

MMBFJ113 - Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт

Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт

Артикул

—

MMBFJ113

Корпус

—

SOT-23

Код товара

—

220007

Производитель

—

ON Semiconductor

MMBFJ112 - Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт

Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт

Артикул

—

MMBFJ112

Корпус

—

SOT-23

Код товара

—

220006

Производитель

—

ON Semiconductor

MMBF5484 - Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.225 Вт

Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.225 Вт

Артикул

—

MMBF5484

Корпус

—

SOT-23

Код товара

—

220001

Производитель

—

ON Semiconductor

Загрузить еще

Главная Каталог 0 Корзина 0 Избранные Кабинет 0 Сравнение Акции Галерея Контакты Услуги Бренды Отзывы Компания Лицензии Документы Реквизиты Поиск Блог Обзоры