Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5 А
Артикул п.
—
S8205A
Корпус
—
SOT-23-6
Код товара
—
526690
Производитель
—
Hottech Co. Ltd
4.10 ₽
В наличии
Модуль полумостовой IGBT 650В 150А
Артикул п.
—
MG100HF065TLC1
Код товара
—
604484
Производитель
—
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
2 604.10 ₽
В наличии
Модуль IGBT 1200В 300А
Артикул п.
—
MG300HF12TLE3
Код товара
—
770687
Производитель
—
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
4 898.95 ₽
В наличии
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 65 Вт
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
37642
28.92 ₽
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 50 В, 0.2 А, 0.2Вт
Артикул п.
—
BSS138DW
Корпус
—
SOT-363
Код товара
—
517974
Производитель
—
Galaxy Microelectronics Co.,Ltd
4.32 ₽
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.3 А
Артикул п.
—
2N7002DW
Корпус
—
SOT-363
Код товара
—
522502
Производитель
—
Hottech Co. Ltd
1.18 ₽
В наличии
Транзистор полевой MOSFET P-канальный напряжение сток-исток 30В, ток стока 8A
Артикул п.
—
WMS08P03T1
Корпус
—
SOP-8L
Код товара
—
542267
Производитель
—
Wayon
9.29 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Корпус
—
34 mm
Код товара
—
139799
7 153.62 ₽
В наличии
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.15 А, 0.35 Вт
Артикул п.
—
КТ503Е
Год выпуска
—
2024
Корпус
—
TO92-3
Код товара
—
4743
18.46 ₽
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 45A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Артикул п.
—
IPD135N08N3GATMA1
Корпус
—
DPAK-3
Код товара
—
347702
126.79 ₽
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6А 74Вт, 2.2 Ом
Корпус
—
TO-220AB
Код товара
—
37544
42.60 ₽
В наличии
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 140Вт, 0.052 Ом
Корпус
—
TO-220AB
Код товара
—
52903
33.83 ₽
В наличии
IGBT Module N-CH 1200V 41A 26-Pin
Артикул п.
—
SKIIP23NAB12T4V1
Корпус
—
MiniSKiiP® 3
Код товара
—
519464
Производитель
—
Semikron Elektronik GmbH
6 379.70 ₽
В наличии
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3.5 А, 2 Вт
Артикул п.
—
IRF7101TRPBF
Корпус
—
SO-8
Код товара
—
409147
Производитель
—
Infineon Technologies
56.66 ₽
В наличии
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 300 А, 1450Вт
Корпус
—
AG-62MMHB
Код товара
—
139963
13 906.26 ₽
В наличии
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А, 40 Вт
Корпус
—
TO-220AB
Код товара
—
37646
47.54 ₽
В наличии
Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 55А 210Вт 24-Pin ECONO2-5 лоток
Артикул п.
—
FP40R12KT3
Корпус
—
AG-ECONO2C
Код товара
—
198414
Производитель
—
Infineon Technologies
5 869.51 ₽
В наличии
IGBTмодуль 1200V, 100A 2 in one-package
Артикул п.
—
GD100HFU120C1S
Код товара
—
562188
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
6 394.54 ₽
В наличии
Биполярный транзистор, N-канальный, 1.2 кВ, 422 А
Артикул п.
—
SKM300GAL12T4
Корпус
—
SEMITRANS® 3
Код товара
—
681051
Производитель
—
Semikron Elektronik GmbH
7 660.44 ₽
В наличии
IGBT модуль 1700B 300А 2 in one-package 62мм
Артикул п.
—
GD300HFX170C2S
Код товара
—
524487
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
6 790.61 ₽
