Фильтр
Сначала популярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 25 В, 0.3Вт
Корпус
—
SC-70-6
Производитель
—
ON Semiconductor
69.12 ₽
В корзину
Полевой транзистор N-канальный 1200В 45A HIP247
Корпус
—
HiP247[тм]
Производитель
—
ST Microelectronics
2 311.27 ₽
В корзину
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.5А 1.3Вт, 0.1 Ом
Корпус
—
DIP-4
93.46 ₽
В корзину
Транзистор полевой MOSFET 2N-канальный 60В 5A 3.1Вт
Корпус
—
SOIC8
Производитель
—
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
19.58 ₽
В корзину
Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А, 0.2Вт
Корпус
—
SOT666-6
15.84 ₽
В корзину
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.5А 0.83Вт
Корпус
—
TO92-3
22.18 ₽
В корзину
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 79Вт, 0.1 Ом
Корпус
—
TO-220AB
236.52 ₽
В корзину
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 3 А, 25 Вт
Год выпуска
—
2024
Корпус
—
TO-126
37.51 ₽
В корзину
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 50 В, 0.2 А, 0.2Вт
Корпус
—
SOT-363
Артикул производителя
—
BSS138DW
Производитель
—
Galaxy Microelectronics Co.,Ltd
По запросу
Заказать
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 0.18 А, 0.28Вт
Корпус
—
TSSOP6
Производитель
—
NEXPERIA
7.63 ₽
В корзину
Транзистор биполярный IGBT со встроенным диодом 1200В/15А TO-247
Корпус
—
TO-247
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
135.43 ₽
В корзину
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт
Корпус
—
PG-TO-247-3
Производитель
—
Infineon Technologies
По запросу
Заказать
IGBT Module N-CH 1200V 41A 26-Pin
Корпус
—
MiniSKiiP® 3
Производитель
—
Semikron Elektronik GmbH
По запросу
Заказать
Полумостовой модуль IGBT 1200В 450A 62мм
Производитель
—
Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd
Производитель входит в основные линии поставок
11 641.75 ₽
В корзину
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28А 150Вт, 0.077 Ом
Корпус
—
TO-220AB
100.37 ₽
В корзину
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 190Вт, 0.4 Ом
Корпус
—
TO-247AC
191.23 ₽
В корзину
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.3А 50Вт, 1.8 Ом
Корпус
—
TO-220AB
57.96 ₽
В корзину
Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 5 А, 30 Вт
Корпус
—
TO-220F
67.03 ₽
В корзину
IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовой
Примечание
—
IGBT Модуль 1700В, 600А
Артикул производителя
—
DFI600HF17I4RE1
Производитель
—
Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
Производитель входит в основные линии поставок
По запросу
Заказать
Силовой модуль IGBT полумостовой 242А
Корпус
—
SEMITRANS® 3
Производитель
—
Semikron Elektronik GmbH
8 115.26 ₽
В корзину