Фильтр
Сначала популярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
IGBT модуль 1250В 300 А
Артикул производителя
—
MGC300D12A1
Производитель
—
TECH Semiconductors Co., Ltd
Производитель входит в основные линии поставок
По запросу
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 400A
Корпус
—
62 mm
15 471.43 ₽
Производитель
—
Silan Microelectronics
3 069.43 ₽
Производитель
—
Silan Microelectronics
2 029.61 ₽
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 140A TO247-3
Производитель
—
Infineon Technologies
По запросу
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1100В 60A 333Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель
—
Infineon Technologies
По запросу
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 30A 254Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель
—
Infineon Technologies
По запросу
Производитель
—
Silan Microelectronics
121.61 ₽
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
4 617.07 ₽
Производитель
—
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
4 491.65 ₽
Производитель
—
Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
Производитель входит в основные линии поставок
10 483.49 ₽
IGBT модуль 1200В, 100A
Производитель
—
Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
Производитель входит в основные линии поставок
3 519.29 ₽
Производитель
—
Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
Производитель входит в основные линии поставок
6 722.86 ₽
Производитель
—
Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
Производитель входит в основные линии поставок
3 908.81 ₽
Производитель
—
Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
Производитель входит в основные линии поставок
8 059.10 ₽
Производитель
—
Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
Производитель входит в основные линии поставок
8 326.01 ₽
Производитель
—
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
3 826.73 ₽
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
7 686.07 ₽
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 234A 880Вт TO247AD
Корпус
—
TO-247 (IXXH)
Производитель
—
IXYS Corporation
По запросу
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Корпус
—
TO-247-3
Производитель
—
ON Semiconductor
По запросу
