Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
11 767.54 ₽
12 137.62 ₽
8 802.43 ₽
Драйвер для IGBT модуля 1700V, Econodual 3
Артикул
—
2SC0108T2G0-17
Код товара
—
795164
Производитель
—
Power Integrations
3 175.56 ₽
Артикул
—
AIKW75N60CTXKSA1
Код товара
—
438033
Производитель
—
Infineon Technologies
1 470.60 ₽
Артикул
—
FP15R12W1T4B3BOMA1
Код товара
—
406795
Производитель
—
Infineon Technologies
3 886.42 ₽
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1700В 80A 360Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Артикул
—
IXBH42N170
Корпус
—
TO-247AD
Код товара
—
361364
Производитель
—
IXYS Corporation
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 330 Вт
Артикул
—
IRGP4660DPBF
Корпус
—
TO-247
Код товара
—
204554
Производитель
—
Infineon Technologies
1 218.24 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 58 Вт
Артикул
—
IRGB4607DPBF
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
204512
Производитель
—
Infineon Technologies
52.08 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 215 Вт
Артикул
—
IRGB20B60PD1PBF
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
204505
Производитель
—
Infineon Technologies
620.29 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 160 Вт
Артикул
—
IRG4PC40SPBF
Корпус
—
TO-247
Код товара
—
204472
Производитель
—
Infineon Technologies
449.84 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 28 Вт
Корпус
—
TO-220F
Код товара
—
126887
131.36 ₽
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 80A 283Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Артикул
—
STGB40H65FB
Код товара
—
512742
Производитель
—
ST Microelectronics
273.02 ₽
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 50A 231Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Артикул
—
IHW25N120E1XKSA1
Код товара
—
464426
Производитель
—
Infineon Technologies
331.20 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А
Артикул
—
FGY40T120SMD
Корпус
—
TO-247
Код товара
—
438852
Производитель
—
ON Semiconductor
739.01 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 100000 мВт
Артикул
—
IKD06N60RFATMA1
Корпус
—
DPAK
Код товара
—
202855
Производитель
—
Infineon Technologies
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Артикул
—
GT50J325
Код товара
—
199544
Производитель
—
Toshiba Semiconductor
2 270.29 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 187 Вт
Корпус
—
PG-TO-247-3
Код товара
—
145612
237.16 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Корпус
—
TO-247
Код товара
—
129739
693.12 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 25 Вт
Корпус
—
TO-220FP
Код товара
—
126901
214.21 ₽
Загрузить еще