+7 (495) 260-13-69
- Назад
- Телефоны
- +7 (495) 260-13-69
- Заказать звонок
info@lvtgroup.ru
snab@lvtgroup.ru
zakaz@lvtgroup.ru
140080, Московская обл., г. Лыткарино, тер. промзона Тураево,стр. 16
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

Транзисторы – Страница 227

7110 товаров

IGBT (БТИЗ) транзисторы

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы

STGF15H60DF - Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 30 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 30 Вт

Артикул

—

STGF15H60DF

Корпус

—

TO-220FP

Код товара

—

591717

Производитель

—

ST Microelectronics

NTJS3151PT2G - Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.7А 0.625Вт

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.7А 0.625Вт

Артикул

—

NTJS3151PT2G

Корпус

—

SOT-363

Код товара

—

382826

FDPF18N50 - Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A TO-220F, 38Вт

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A TO-220F, 38Вт

Артикул

—

FDPF18N50

Корпус

—

TO-220F

Код товара

—

358372

MMBTA28-7-F - Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.5 А

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.5 А

Артикул

—

MMBTA28-7-F

Корпус

—

SOT23-3

Код товара

—

220124

Производитель

—

Diodes Incorporated

MMBT918LT1G - Биполярный транзистор NPN 15В 50мА 225мВт Кус не менее 20 не менее 600МГц

Биполярный транзистор NPN 15В 50мА 225мВт Кус не менее 20 не менее 600МГц

Артикул

—

MMBT918LT1G

Корпус

—

SOT-23-3 (TO-236)

Код товара

—

220111

Производитель

—

ON Semiconductor

ISL9V3040S3ST - Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт

Артикул

—

ISL9V3040S3ST

Корпус

—

D2Pak (TO-263)

Код товара

—

205545

Производитель

—

ON Semiconductor

IRGB15B60KDPBF - Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 208 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 208 Вт

Артикул

—

IRGB15B60KDPBF

Корпус

—

TO-220

Код товара

—

204504

Производитель

—

Infineon Technologies

DMG1016UDW-7 - Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В

Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В

Артикул

—

DMG1016UDW-7

Корпус

—

SOT-363

Код товара

—

192661

Производитель

—

Diodes Incorporated

AFT05MS031GNR1

Артикул

—

AFT05MS031GNR1

Код товара

—

1001907

Производитель

—

NXP / Philips

DDTC114WUA-7-F

Артикул

—

DDTC114WUA-7-F

Код товара

—

957986

Производитель

—

Diodes Incorporated

MG75HF12TLC1 - Модуль полумостовой IGBT 1200В 75А

Модуль полумостовой IGBT 1200В 75А

Артикул

—

MG75HF12TLC1

Код товара

—

603882

Производитель

—

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

MMBTRC102SS

Артикул

—

MMBTRC102SS

Код товара

—

590039

Производитель

—

Diotec Semiconductor

BSP51 - Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.5А

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.5А

Артикул

—

BSP51

Корпус

—

SOT-223-3

Код товара

—

395270

Производитель

—

Hottech Co. Ltd

ZXTP2012ZTA - Биполярный транзистор PNP 60В 4.3A SOT89

Биполярный транзистор PNP 60В 4.3A SOT89

Артикул

—

ZXTP2012ZTA

Корпус

—

SOT-89-3

Код товара

—

348610

Производитель

—

Diodes Incorporated

2N3906 - Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А

Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А

Артикул

—

2N3906

Корпус

—

TO-92_formed_leads

Код товара

—

337321

Производитель

—

Diotec Semiconductor

MJB45H11T4G - Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А

Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А

Артикул

—

MJB45H11T4G

Корпус

—

D2Pak (TO-263)

Код товара

—

219120

Производитель

—

ON Semiconductor

IKD03N60RFATMA1 - Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 5 А, 53,6Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 5 А, 53,6Вт

Артикул

—

IKD03N60RFATMA1

Корпус

—

DPAK

Код товара

—

202853

Производитель

—

Infineon Technologies

Загрузить еще

Главная Каталог 0 Корзина 0 Избранные Кабинет 0 Сравнение Акции Галерея Контакты Услуги Бренды Отзывы Компания Лицензии Документы Реквизиты Поиск Блог Обзоры