+7 (495) 260-13-69
- Назад
- Телефоны
- +7 (495) 260-13-69
- Заказать звонок
info@lvtgroup.ru
snab@lvtgroup.ru
zakaz@lvtgroup.ru
140080, Московская обл., г. Лыткарино, тер. промзона Тураево,стр. 16
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

Транзисторы – Страница 228

7110 товаров

IGBT (БТИЗ) транзисторы

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы

MG75HF12TLC1 - Модуль полумостовой IGBT 1200В 75А

Модуль полумостовой IGBT 1200В 75А

Артикул

—

MG75HF12TLC1

Код товара

—

603882

Производитель

—

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

STGF15H60DF - Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 30 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 30 Вт

Артикул

—

STGF15H60DF

Корпус

—

TO-220FP

Код товара

—

591717

Производитель

—

ST Microelectronics

MMBTRC102SS

Артикул

—

MMBTRC102SS

Код товара

—

590039

Производитель

—

Diotec Semiconductor

GD400HFU120C2S - Модуль IGBT 1200В 400A

Модуль IGBT 1200В 400A

Артикул

—

GD400HFU120C2S

Код товара

—

568145

Производитель

—

STARPOWER Semiconductor Ltd.

GD200HFU120C2S - Модуль IGBT 1200В 262А

Модуль IGBT 1200В 262А

Артикул

—

GD200HFU120C2S

Код товара

—

560948

Производитель

—

STARPOWER Semiconductor Ltd.

ZXTP2012ZTA - Биполярный транзистор PNP 60В 4.3A SOT89

Биполярный транзистор PNP 60В 4.3A SOT89

Артикул

—

ZXTP2012ZTA

Корпус

—

SOT-89-3

Код товара

—

348610

Производитель

—

Diodes Incorporated

2N3906 - Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А

Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А

Артикул

—

2N3906

Корпус

—

TO-92_formed_leads

Код товара

—

337321

Производитель

—

Diotec Semiconductor

IRF7606TRPBF - Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6A

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6A

Артикул

—

IRF7606TRPBF

Корпус

—

Micro8[тм]

Код товара

—

203834

Производитель

—

Infineon Technologies

IRF7503TRPBF - Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 2.4 А

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 2.4 А

Артикул

—

IRF7503TRPBF

Корпус

—

Micro8[тм]

Код товара

—

203830

Производитель

—

Infineon Technologies

IKD03N60RFATMA1 - Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 5 А, 53,6Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 5 А, 53,6Вт

Артикул

—

IKD03N60RFATMA1

Корпус

—

DPAK

Код товара

—

202853

Производитель

—

Infineon Technologies

FGPF50N33BT - Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А, 43 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А, 43 Вт

Примечание

—

форм.

Корпус

—

TO-220F

Код товара

—

122558

WMB032N04LG2 - Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 40В, ток стока 90А

Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 40В, ток стока 90А

Артикул

—

WMB032N04LG2

Корпус

—

PDFN5*6

Код товара

—

604502

Производитель

—

Wayon

DG50X06T2 - Биполярный транзистор IGBT, 600В 100А 714Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600В 100А 714Вт

Артикул

—

DG50X06T2

Корпус

—

TO-247

Код товара

—

560957

Производитель

—

STARPOWER Semiconductor Ltd.

WMB018N04LG2 - Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 130A 1.8мОм PDFN5060-8L

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 130A 1.8мОм PDFN5060-8L

Артикул

—

WMB018N04LG2

Корпус

—

PDFN5*6

Код товара

—

541484

Производитель

—

Wayon

CM450DX-34T

Артикул

—

CM450DX-34T

Код товара

—

455558

Производитель

—

Mitsubishi Electric

PBSS8110X,135 - Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А

Артикул

—

PBSS8110X,135

Корпус

—

SOT-89-3

Код товара

—

226964

Производитель

—

NEXPERIA

FGH40N60SMDF - Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 349 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 349 Вт

Артикул

—

FGH40N60SMDF

Корпус

—

TO-247-3

Код товара

—

197932

Производитель

—

ON Semiconductor

Загрузить еще

Главная Каталог 0 Корзина 0 Избранные Кабинет 0 Сравнение Акции Галерея Контакты Услуги Бренды Отзывы Компания Лицензии Документы Реквизиты Поиск Блог Обзоры