Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А, 0.25 Вт
Корпус
—
SOT-23
Код товара
—
81204
6.65 ₽
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23А 140Вт, 0.117 Ом
Корпус
—
TO-247AC
Код товара
—
77737
130.30 ₽
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом
Корпус
—
D2Pak (TO-263)
Код товара
—
73246
153.80 ₽
Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 2 А, 15 Вт
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
36930
125.06 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт
Артикул п.
—
IHW40N135R5XKSA1
Корпус
—
PG-TO-247-3
Код товара
—
561073
Производитель
—
Infineon Technologies
420.41 ₽
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8 А, 2 Вт
Артикул п.
—
AO4822A
Корпус
—
SOIC8
Код товара
—
529299
Производитель
—
Alpha & Omega Semiconductor
13.97 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 200 Вт
Артикул п.
—
IKW30N60DTPXKSA1
Корпус
—
PG-TO247-3-46
Код товара
—
439046
Производитель
—
Infineon Technologies
317.74 ₽
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Артикул п.
—
IRF9362TRPBF
Корпус
—
SO-8
Код товара
—
344494
Производитель
—
Infineon Technologies
77.92 ₽
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 25 В, 0.68 А
Артикул п.
—
FDC6303N
Корпус
—
SSOT6
Код товара
—
197221
Производитель
—
ON Semiconductor
Биполярный транзистор NPN 50В 100мА 250мВт Кус 100-200 150МГц
Артикул п.
—
КТ3102АМ
Год выпуска
—
2025
Корпус
—
TO92-3
Код товара
—
4478
14.58 ₽
7.85 ₽
Модуль IGBT 1200В 100А
Артикул п.
—
MG100HF12LEC1
Код товара
—
568618
Производитель
—
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
4 604.90 ₽
Модуль IGBT 650В 247A
Артикул п.
—
GD200HFX65C2S
Код товара
—
560951
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
1 425.46 ₽
Транзистор биполярный общего применения NPN 100В 4А 1300мВт 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке
Артикул п.
—
2SC5566-TD-E
Корпус
—
SOT-89-3
Код товара
—
551435
Производитель
—
ON Semiconductor
75.53 ₽
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 80A 468Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Артикул п.
—
STGWA40M120DF3
Корпус
—
TO-247
Код товара
—
350810
Производитель
—
ST Microelectronics
438.90 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 535 Вт
Артикул п.
—
NGTB40N120FL2WG
Корпус
—
TO-247
Код товара
—
224044
Производитель
—
ON Semiconductor
Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -12 А/15 А, 10 Вт
Корпус
—
TO252-4L
Код товара
—
148421
22.75 ₽
Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 35 В, -6.1 А/7 А, 2 Вт
Корпус
—
SO-8
Код товара
—
148382
28.28 ₽
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 60 В, 2.3 А
Корпус
—
SO-8
Код товара
—
145890
45.05 ₽
Загрузить еще