Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
Полевой транзистор, N/P-канальный, 30 В, 5 А, 2 Вт
Корпус
—
SO-8
Код товара
—
151769
33.44 ₽
Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -8 А/8 А, 2.5 Вт
Корпус
—
TO-252-4L
Код товара
—
151599
42.97 ₽
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 4.5 А, 2 Вт
Корпус
—
SO-8
Код товара
—
148386
37.27 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 130 Вт, 21 А, 600 В
Корпус
—
TO-220
Код товара
—
139900
196.94 ₽
Биполярный транзистор NPN 30В 100мА 200мВт Кус не менее 80 100МГц
Примечание
—
перепр 2018
Год выпуска
—
2011
Корпус
—
SOT-23
Код товара
—
53969
9.11 ₽
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 280Вт, 0.2 Ом
Корпус
—
TO-247AC
Код товара
—
45420
199.42 ₽
Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.1 А, 1.25 Вт, (Комплементарная пара 2SB1109)
Корпус
—
TO-126 MOD
Код товара
—
37170
58.18 ₽
Биполярный транзистор NPN 50В 100мА 100мВт Кус 100-250 150МГц
Артикул п.
—
КТ3130А9
Примечание
—
перепр.2023г
Год выпуска
—
2021
Корпус
—
SOT-23
Код товара
—
4547
31.42 ₽
Биполярный транзистор NPN 50В 100мА 250мВт Кус 100-250 200МГц
Артикул п.
—
КТ3102ЖМ
Год выпуска
—
2019
Корпус
—
TO92-3
Код товара
—
4493
7.40 ₽
Биполярный транзистор NPN 20В 100мА 250мВт Кус 400-1000 300МГц
Артикул п.
—
КТ3102ГМ
Год выпуска
—
2024
Корпус
—
TO92-3
Код товара
—
4486
13.42 ₽
IGBT модуль 1200B 50А
Артикул п.
—
7MBR50UA120-50
Код товара
—
680629
Производитель
—
FUJI Electric
Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 30В 3-Pin PLD-1.5W лента на катушке
Артикул п.
—
AFT09MS007NT1
Корпус
—
PLD-1.5
Код товара
—
590799
Производитель
—
NXP / Philips
315 ₽
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 270 Вт
Артикул п.
—
IKW40T120FKSA1
Корпус
—
PG-TO247-3-46
Код товара
—
356276
Производитель
—
Infineon Technologies
932.02 ₽
Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 350 мВт
Артикул п.
—
MMBFJ108
Корпус
—
SOT-23 (SuperSOT-3)
Код товара
—
220004
Производитель
—
ON Semiconductor
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.33 Вт, 150 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм
Корпус
—
SOT-23
Код товара
—
82588
14.02 ₽
Биполярный транзистор PNP -30В -100мА 300мВт Кус 120-220 200МГц
Артикул п.
—
КТ3107Г
Год выпуска
—
2022
Корпус
—
TO92-3
Код товара
—
4500
12.54 ₽
Биполярный транзистор NPN 20В 100мА 250мВт Кус 400-1000 300МГц
Артикул п.
—
КТ3102ЕМ
Год выпуска
—
2023
Корпус
—
TO92-3
Код товара
—
4490
14.76 ₽
7.70 ₽
IGBT модуль 2 элемента 1200A 1700V
Артикул п.
—
CM1200DC-34S
Код товара
—
794959
Производитель
—
Mitsubishi Electric
IGBT модуль 1700В, 500А, корпус 62 мм
Артикул п.
—
FF500R17KE4
Корпус
—
AG-62MMHB
Код товара
—
677312
Производитель
—
Infineon Technologies
18 222.91 ₽
Загрузить еще