Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
Под заказ
Модуль силовой SiC MOSFET 2 N-канальный 1200В 50A
Артикул
—
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Корпус
—
Module
Код товара
—
464361
Производитель
—
Infineon Technologies
Заказать
Под заказ
Биполярный транзистор NPN 60В 1А 1Вт Кус 40-200 200МГц
Год выпуска
—
2024
Корпус
—
TO-126
Код товара
—
67689
47.50 ₽
Заказать
Под заказ
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
Артикул
—
IKW50N60TFKSA1
Корпус
—
PG-TO-247-3
Код товара
—
202874
Производитель
—
Infineon Technologies
404.09 ₽
Заказать
Под заказ
Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1.5 А, 10 Вт
Артикул
—
КТ814В
Год выпуска
—
2024
Корпус
—
TO-126
Код товара
—
4955
29.93 ₽
Заказать
Под заказ
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 11А 48Вт
Артикул
—
IRFI9540GPBF
Корпус
—
TO-220F
Код товара
—
204083
131.48 ₽
Заказать
Под заказ
Модуль IGBT 1700В 648A
Артикул
—
GD400HFX170C2S
Код товара
—
560954
Производитель
—
STARPOWER Semiconductor Ltd.
18 312.48 ₽
Заказать
Под заказ
Силовой модуль IGBT N-канальный 1700В 88А
Артикул
—
SKM75GB17E4
Корпус
—
SEMITRANS® 2
Код товара
—
591547
Производитель
—
Semikron Elektronik GmbH
3 456.94 ₽
Заказать
Под заказ
Модуль силовой IGBT 1200В/450A
Артикул
—
HFGM450A 1200V
Код товара
—
565657
Производитель
—
ZHEJIANG HUAJING RECTIFIER CO.,LTD
5 702.18 ₽
Заказать
Под заказ
Модуль силовой IGBT N-канальный 1200В 313A 7-Pin
Артикул
—
SKM200GB12T4
Корпус
—
SEMITRANS® 3 (Case D56)
Код товара
—
477467
Производитель
—
Semikron Elektronik GmbH
9 344.30 ₽
Заказать
Под заказ
Модуль силовой IGBT 1200В/150A
Артикул
—
HFGM150D12AV1
Код товара
—
565654
Производитель
—
ZHEJIANG HUAJING RECTIFIER CO.,LTD
3 528.14 ₽
Заказать
