+7 (495) 260-13-69
- Назад
- Телефоны
- +7 (495) 260-13-69
- Заказать звонок
info@lvtgroup.ru
snab@lvtgroup.ru
zakaz@lvtgroup.ru
140080, Московская обл., г. Лыткарино, тер. промзона Тураево,стр. 16
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

Транзисторы – Страница 358

7273 товара

IGBT (БТИЗ) транзисторы

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы

Артикул п.

—

MG450HF12TLE3

Код товара

—

770678

Производитель

—

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

Полумостовой IGBT модуль 1200В, 450A

Артикул п.

—

AP450HB12ED3A

Код товара

—

589440

Производитель

—

APEMIC

IGBT модуль 1200В, 450A, Econodual 3

Артикул п.

—

AP600HB12ED3A

Код товара

—

589158

Производитель

—

APEMIC

Силовой модуль 2-IGBT 1700В 650А, PrimePACK 2

Артикул п.

—

FF650R17IE4

Корпус

—

AG-62MMHB

Код товара

—

527912

Производитель

—

Infineon Technologies

DFI600HF12I4ME1 - IGBT Модуль 1200В, 600А, полумостовой

IGBT Модуль 1200В, 600А, полумостовой

Артикул п.

—

DFI600HF12I4ME1

Примечание

—

IGBT Модуль 1200В, 600А

Код товара

—

518446

Производитель

—

Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.

IGB50N65H5ATMA1

Артикул п.

—

IGB50N65H5ATMA1

Код товара

—

439025

Производитель

—

Infineon Technologies

SKM195GB066D - Силовой модуль IGBT N-канальный 600В 265А

Силовой модуль IGBT N-канальный 600В 265А

Артикул п.

—

SKM195GB066D

Корпус

—

SEMITRANS® 2

Код товара

—

409151

Производитель

—

Semikron Elektronik GmbH

IXXH50N60C3D1 - Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 600 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 600 Вт

Артикул п.

—

IXXH50N60C3D1

Корпус

—

TO-247 (IXXH)

Код товара

—

349185

Производитель

—

Littelfuse

IRF9630SPBF - Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A

Артикул п.

—

IRF9630SPBF

Корпус

—

D2Pak (TO-263)

Код товара

—

203929

IGBT Модуль 1200В, 600А, Half Bridge, econodual 3

Артикул п.

—

AP600HB17N4-2MB

Код товара

—

593229

Производитель

—

APEMIC

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 39Вт

Артикул п.

—

SK15N10

Корпус

—

DPAK/TO-252AA

Код товара

—

571438

Производитель

—

SHIKUES

Артикул п.

—

2MBI 400U4Н-170-50

Код товара

—

567477

Производитель

—

FUJI Electric

HGT1S10N120BNST - Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт

Артикул п.

—

HGT1S10N120BNST

Корпус

—

TO-263AB

Код товара

—

201331

Производитель

—

ON Semiconductor

FDS89161 - Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 2.7 А

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 100 В, 2.7 А

Артикул п.

—

FDS89161

Корпус

—

SOIC8N

Код товара

—

197771

Производитель

—

ON Semiconductor

Артикул п.

—

GD300FFX65P3S

Код товара

—

1023594

Артикул п.

—

DDC114EUQ-7-F

Код товара

—

962530

Производитель

—

Diodes Incorporated

Артикул п.

—

PIMC32-QX

Код товара

—

957866

Производитель

—

NEXPERIA

Артикул п.

—

MRF177

Код товара

—

915910

Производитель

—

MACOM Technology Solution Holdings, Inc.

Артикул п.

—

FS225R12KE3

Код товара

—

779404

Производитель

—

Infineon Technologies

Загрузить еще

Главная Каталог 0 Корзина 0 Избранные Кабинет 0 Сравнение Акции Контакты Бренды Поиск