Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
Под заказ
Blocking Voltage 1400V
Si3N4 AMB
High Reliability Epoxy ResinPotting Technology
Highly Reliable
Si3N4 AMB
High Reliability Epoxy ResinPotting Technology
Highly Reliable
Артикул п.
—
DFS36FB14EYQ1
Код товара
—
695239
Производитель
—
Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
8 524.87 ₽
Под заказ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.5А 1.3Вт, 0.1 Ом
Корпус
—
HVMDIP-4
Код товара
—
66380
138.97 ₽
1 660.54 ₽
3 109.54 ₽
3 390.12 ₽
2 815.20 ₽
2 573.93 ₽
Под заказ
Модуль силовой SiC MOSFET 2 N-канальный 1200В 50A
Артикул п.
—
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Корпус
—
Module
Код товара
—
464361
Производитель
—
Infineon Technologies
Под заказ
Модуль силовой SiC MOSFET N-канальный 1.2KВ 50A
Артикул п.
—
FF23MR12W1M1PB11BPSA1
Корпус
—
Module
Код товара
—
549514
Производитель
—
Infineon Technologies
8 146.44 ₽
Под заказ
Модуль силовой GaN MOSFET сборка 2 N-канальный 600В 70А 470Вт
Артикул п.
—
TPD3215M
Корпус
—
Module
Код товара
—
551395
Производитель
—
TRANSPH
10 714.61 ₽
Под заказ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный высокочастотный 28В 10Вт TO270-2GW
Артикул п.
—
MW6S010GNR1
Корпус
—
TO-270-2 GULL
Код товара
—
473012
Производитель
—
NXP / Philips
Под заказ
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 11А 48Вт
Артикул п.
—
IRFI9540GPBF
Корпус
—
TO-220F
Код товара
—
204083
131.48 ₽
Под заказ
Модуль силовой SiC MOSFET сдвоенный N-канальный 1200В лоток
Артикул п.
—
FF2MR12KM1PHOSA1
Корпус
—
Module
Код товара
—
539539
Производитель
—
Infineon Technologies
