+7 (495) 260-13-69
- Назад
- Телефоны
- +7 (495) 260-13-69
- Заказать звонок
info@lvtgroup.ru
snab@lvtgroup.ru
zakaz@lvtgroup.ru
140080, Московская обл., г. Лыткарино, тер. промзона Тураево,стр. 16
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

Транзисторы – Страница 339

7110 товаров

IGBT (БТИЗ) транзисторы

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы

IXYK120N120C3

Артикул п.

—

IXYK120N120C3

Код товара

—

941366

Производитель

—

IXYS Corporation

IXYH50N65C3H1

Артикул п.

—

IXYH50N65C3H1

Код товара

—

941362

Производитель

—

IXYS Corporation

IXGH50N90B2D1

Артикул п.

—

IXGH50N90B2D1

Код товара

—

941235

Производитель

—

IXYS Corporation

IXBOD1-18R

Артикул п.

—

IXBOD1-18R

Код товара

—

940937

Производитель

—

IXYS Corporation

IXBX75N170A

Артикул п.

—

IXBX75N170A

Код товара

—

940469

Производитель

—

IXYS Corporation

MG150HF12MIC2

Артикул п.

—

MG150HF12MIC2

Код товара

—

935500

Производитель

—

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

FS300R17KE4 - IGBT module 1700 V, 300 A sixpack

IGBT module 1700 V, 300 A sixpack

Артикул п.

—

FS300R17KE4

Код товара

—

789331

Производитель

—

Infineon Technologies

XNA30N60T-A01 - Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А TO-263

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А TO-263

Артикул п.

—

XNA30N60T-A01

Код товара

—

568577

Производитель

—

Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd

A-2OOOT4-120-450 - IGBT Модуль Half Bridge 1200В 450А

IGBT Модуль Half Bridge 1200В 450А

Артикул п.

—

A-2OOOT4-120-450

Код товара

—

562010

2MBI1400VXB-170E-50

Артикул п.

—

2MBI1400VXB-170E-50

Код товара

—

544379

Производитель

—

FUJI Electric

HKTG48N10 - Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 79A, 8мОм

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 79A, 8мОм

Артикул п.

—

HKTG48N10

Корпус

—

PDFN5*6

Код товара

—

526872

Производитель

—

Hottech Co. Ltd

CM600DX-34T#611G - IGBT модуль 1700В 600А

IGBT модуль 1700В 600А

Артикул п.

—

CM600DX-34T#611G

Код товара

—

514561

Производитель

—

Mitsubishi Electric

IRGP4660D-EPBF - Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 100A 330Вт TO247AD

Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 100A 330Вт TO247AD

Артикул п.

—

IRGP4660D-EPBF

Корпус

—

TO-247AD

Код товара

—

464704

Производитель

—

Infineon Technologies

IRGIB10B60KD1P - Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 44 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 44 Вт

Артикул п.

—

IRGIB10B60KD1P

Корпус

—

TO-220AB Full-Pak

Код товара

—

413098

Производитель

—

Infineon Technologies

IKQ40N120CH3XKSA1 - Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 40A TO-247-3

Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 40A TO-247-3

Артикул п.

—

IKQ40N120CH3XKSA1

Код товара

—

412460

Производитель

—

Infineon Technologies

CPH3216-TL-E - Биполярный транзистор NPN 50В 1A CPH3

Биполярный транзистор NPN 50В 1A CPH3

Артикул п.

—

CPH3216-TL-E

Корпус

—

3-CPH

Код товара

—

378752

Производитель

—

ON Semiconductor

BC817-16Q-7-F

Артикул п.

—

BC817-16Q-7-F

Код товара

—

754220

Производитель

—

Diodes Incorporated

DFI500HF17DFRE1

Артикул п.

—

DFI500HF17DFRE1

Код товара

—

603881

Производитель

—

Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.

APMTI820F08A6M7R_LA - 3 фазный IGBTмодуль 750B, 820А (удлинённые выводы)

3 фазный IGBTмодуль 750B, 820А (удлинённые выводы)

Артикул п.

—

APMTI820F08A6M7R_LA

Код товара

—

601117

Производитель

—

APEMIC

Загрузить еще

Главная Каталог 0 Корзина 0 Избранные Кабинет 0 Сравнение Акции Контакты Бренды Поиск