+7 (495) 260-13-69
- Назад
- Телефоны
- +7 (495) 260-13-69
- Заказать звонок
info@lvtgroup.ru
snab@lvtgroup.ru
zakaz@lvtgroup.ru
140080, Московская обл., г. Лыткарино, тер. промзона Тураево,стр. 16
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

Транзисторы – Страница 350

7110 товаров

IGBT (БТИЗ) транзисторы

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы

STA401A - Биполярный транзистор NPN

Биполярный транзистор NPN

Корпус

—

SIP10

Код товара

—

41270

AFT09MS015NT1

Артикул

—

AFT09MS015NT1

Код товара

—

1024702

PIMP31PAX

Артикул

—

PIMP31PAX

Код товара

—

957675

Производитель

—

NEXPERIA

SK15N10 - Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 39Вт

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 39Вт

Артикул

—

SK15N10

Корпус

—

DPAK/TO-252AA

Код товара

—

571438

Производитель

—

SHIKUES

FF650R17IE4 - Силовой модуль 2-IGBT 1700В 650А, PrimePACK 2

Силовой модуль 2-IGBT 1700В 650А, PrimePACK 2

Артикул

—

FF650R17IE4

Корпус

—

AG-62MMHB

Код товара

—

527912

Производитель

—

Infineon Technologies

DFI600HF12I4ME1 - IGBT Модуль 1200В, 600А, полумостовой

IGBT Модуль 1200В, 600А, полумостовой

Артикул

—

DFI600HF12I4ME1

Примечание

—

IGBT Модуль 1200В, 600А

Код товара

—

518446

Производитель

—

Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.

PMBT3904RAZ

Артикул

—

PMBT3904RAZ

Код товара

—

461933

Производитель

—

NEXPERIA

IXXH50N60C3D1 - Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 600 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 600 Вт

Артикул

—

IXXH50N60C3D1

Корпус

—

TO-247 (IXXH)

Код товара

—

349185

Производитель

—

Littelfuse

IRF9630SPBF - Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A

Артикул

—

IRF9630SPBF

Корпус

—

D2Pak (TO-263)

Код товара

—

203929

HGT1S10N120BNST - Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт

Артикул

—

HGT1S10N120BNST

Корпус

—

TO-263AB

Код товара

—

201331

Производитель

—

ON Semiconductor

DDC114YH-7

Артикул

—

DDC114YH-7

Код товара

—

961410

Производитель

—

Diodes Incorporated

SKM195GB066D - Силовой модуль IGBT N-канальный 600В 265А

Силовой модуль IGBT N-канальный 600В 265А

Артикул

—

SKM195GB066D

Корпус

—

SEMITRANS® 2

Код товара

—

409151

Производитель

—

Semikron Elektronik GmbH

BFP196WH6327 - Биполярный транзистор NPN 12В 150мА 700мВт Кус 70-140 7,5ГГц

Биполярный транзистор NPN 12В 150мА 700мВт Кус 70-140 7,5ГГц

Артикул

—

BFP196WH6327

Корпус

—

SOT-343

Код товара

—

342973

Производитель

—

Infineon Technologies

FMB3904 - Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.2 А

Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.2 А

Артикул

—

FMB3904

Корпус

—

SSOT6

Код товара

—

198187

Производитель

—

ON Semiconductor

КТ644А - Биполярный транзистор PNP -60В -0,6А 1Вт Кус 40-120 200МГц

Биполярный транзистор PNP -60В -0,6А 1Вт Кус 40-120 200МГц

Год выпуска

—

2008

Корпус

—

TO-126

Код товара

—

65452

GD50PIX120C6S

Артикул

—

GD50PIX120C6S

Код товара

—

1023601

GD300FFX65P3S

Артикул

—

GD300FFX65P3S

Код товара

—

1023594

MRF141

Артикул

—

MRF141

Код товара

—

915906

Производитель

—

MACOM Technology Solution Holdings, Inc.

AP600HB17N4-2MB - IGBT Модуль 1200В, 600А, Half Bridge, econodual 3

IGBT Модуль 1200В, 600А, Half Bridge, econodual 3

Артикул

—

AP600HB17N4-2MB

Код товара

—

593229

Производитель

—

APEMIC

2MBI 400U4Н-170-50

Артикул

—

2MBI 400U4Н-170-50

Код товара

—

567477

Производитель

—

FUJI Electric

Загрузить еще

Главная Каталог 0 Корзина 0 Избранные Кабинет 0 Сравнение Акции Контакты Бренды Поиск