Фильтр
Сначала непопулярные
#PROP_TITLE#
—
#PROP_VALUE#
IGBT Модуль 1200В, 600А, полумостовой
Артикул
—
DFI600HF12I4ME1
Примечание
—
IGBT Модуль 1200В, 600А
Код товара
—
518446
Производитель
—
Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
17 533.73 ₽
Массив биполярных транзисторов, PNP, 60 В, 0.6 А
Артикул
—
MMPQ2907A
Корпус
—
SOIC16
Код товара
—
220303
Производитель
—
ON Semiconductor
327.64 ₽
Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.2 А
Артикул
—
FMB3904
Корпус
—
SSOT6
Код товара
—
198187
Производитель
—
ON Semiconductor
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный 30 В, 2.5 А, 0.095 Ом, 0.96W
Корпус
—
SSOT6
Код товара
—
145805
78.40 ₽
436.39 ₽
![IGW25T120FKSA1 - Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3]](/bitrix/templates/aspro-lite/images/svg/noimage_product.svg "IGW25T120FKSA1 - Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3]")
Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3]
Артикул
—
IGW25T120FKSA1
Код товара
—
412446
Производитель
—
Infineon Technologies
658.58 ₽
440.21 ₽
23.33 ₽
24.91 ₽
2 824.78 ₽
IGBT Модуль 1200В, 600А, Half Bridge, econodual 3
Артикул
—
AP600HB17N4-2MB
Код товара
—
593229
Производитель
—
APEMIC
Модуль IGBT 1200 В, 600 A
Артикул
—
FS450R12KE3
Код товара
—
198740
Производитель
—
Infineon Technologies
73 571.44 ₽
1 035.07 ₽
Пластиковый корпус IGBT модуля 1200В, 75А
Артикул
—
APMTIUG75H12S4LB
Код товара
—
755577
Производитель
—
Beiyi Semiconductor Technology (Guangdong) Co., Ltd.
Артикул
—
FF200R12KE4PHOSA1
Код товара
—
464357
Производитель
—
Infineon Technologies
12 981.82 ₽
Полумостовой модуль IGBT 50А 1200В
Артикул
—
MGC50D12A1-251H3
Код товара
—
376441
Производитель
—
TECH Semiconductors Co., Ltd
3 008.90 ₽
Биполярный транзистор PNP -60В -0,6А 1Вт Кус 40-120 200МГц
Год выпуска
—
2008
Корпус
—
TO-126
Код товара
—
65452
7.78 ₽
Загрузить еще