+7 (495) 260-13-69
- Назад
- Телефоны
- +7 (495) 260-13-69
- Заказать звонок
info@lvtgroup.ru
snab@lvtgroup.ru
zakaz@lvtgroup.ru
140080, Московская обл., г. Лыткарино, тер. промзона Тураево,стр. 16
Пн. – Пт.: с 9:00 до 18:00

Транзисторы – Страница 353

7110 товаров

IGBT (БТИЗ) транзисторы

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы

2MBI1000XRNE120-50

Артикул

—

2MBI1000XRNE120-50

Код товара

—

782104

Производитель

—

FUJI Electric

FS300R12KE3 - IGBT module 1200 V, 300 A sixpack

IGBT module 1200 V, 300 A sixpack

Артикул

—

FS300R12KE3

Код товара

—

683510

Производитель

—

Infineon Technologies

BFS17NTA

Артикул

—

BFS17NTA

Код товара

—

962517

Производитель

—

Diodes Incorporated

NSF040120L3A0Q

Артикул

—

NSF040120L3A0Q

Код товара

—

957765

Производитель

—

NEXPERIA

MXP120A045FE-T1GE3

Артикул

—

MXP120A045FE-T1GE3

Корпус

—

D2PAK-7

Код товара

—

786804

Производитель

—

Vishay

LVG75H12E4L

Артикул

—

LVG75H12E4L

Код товара

—

755574

Производитель

—

Beiyi Semiconductor Technology (Guangdong) Co., Ltd.

КТ664Б9 - Биполярный транзистор PNP -100В -1А 300мВт Кус 40-250 50МГц

Биполярный транзистор PNP -100В -1А 300мВт Кус 40-250 50МГц

Год выпуска

—

2014

Корпус

—

SOT-89-3

Код товара

—

73252

CE3512K2-C1

Артикул

—

CE3512K2-C1

Код товара

—

479526

Производитель

—

California Eastern Laboratories

IGB30N60H3ATMA1 - Транзистор: IGBT, 600В, 30А, 187Вт, D2PAK

Транзистор: IGBT, 600В, 30А, 187Вт, D2PAK

Артикул

—

IGB30N60H3ATMA1

Код товара

—

439024

Производитель

—

Infineon Technologies

IGW75N60H3FKSA1 - Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 140A 428Вт TO247-3

Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 140A 428Вт TO247-3

Артикул

—

IGW75N60H3FKSA1

Код товара

—

412447

Производитель

—

Infineon Technologies

КТ3129Г9 - Биполярный транзистор PNP -30В -100мА 75мВт Кус 200-500 200МГц

Биполярный транзистор PNP -30В -100мА 75мВт Кус 200-500 200МГц

Артикул

—

КТ3129Г9

Примечание

—

переп 2017

Год выпуска

—

2016

Корпус

—

SOT-23

Код товара

—

4539

FF450R12ME3BOSA1 - Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 600А 2100Вт 11-Pin ECONOD-3 лоток

Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 600А 2100Вт 11-Pin ECONOD-3 лоток

Артикул

—

FF450R12ME3BOSA1

Код товара

—

550005

Производитель

—

Infineon Technologies

STGW20H65FB - Транзистор биполярный IGBT N-канальный 650В 40A 168Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба

Транзистор биполярный IGBT N-канальный 650В 40A 168Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба

Артикул

—

STGW20H65FB

Корпус

—

TO-247

Код товара

—

507344

Производитель

—

ST Microelectronics

CMUT5179 TR - Транзистор биполярный ВЧ NPN 15В 0.05А 250мВт 1.45ГГц 3-Pin SOT-523 лента на катушке

Транзистор биполярный ВЧ NPN 15В 0.05А 250мВт 1.45ГГц 3-Pin SOT-523 лента на катушке

Артикул

—

CMUT5179 TR

Корпус

—

SC-75 (SOT523)

Код товара

—

551351

Производитель

—

CSC

MMBF5103 - Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт

Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт

Артикул

—

MMBF5103

Корпус

—

SOT-23

Код товара

—

219995

Производитель

—

ON Semiconductor

КТ660А - Биполярный транзистор NPN 50В 0,8А 0,5Вт Кус 110-220 200МГц

Биполярный транзистор NPN 50В 0,8А 0,5Вт Кус 110-220 200МГц

Год выпуска

—

2021

Корпус

—

КТ-4-2

Код товара

—

75456

XNG450B24KC5A5 - IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой

IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой

Артикул

—

XNG450B24KC5A5

Код товара

—

527370

Производитель

—

Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd

Загрузить еще

Главная Каталог 0 Корзина 0 Избранные Кабинет 0 Сравнение Акции Контакты Бренды Поиск